远远远不如预期 外媒报道三星3nm良率仅10%-20%

继惠普公司宣布今年下半年将启动时3nm晶片出厂后来，Samsung3nm制程晶片并未开始试棉。韩国媒体的美联社看出，Samsung3nm制程传统工艺的良品率，才到10%-20%，远不及公司期望的尽可能，在提升3nm传统工艺的良品率方面，也面临了挣扎。

Samsung和惠普公司是目前已顺利出厂5nm传统工艺，并在推进3nm传统工艺出厂事宜的芯片OEM商，与惠普公司继续有别于颊德式场效应二极管（FinFET）架构不同，Samsung3nm传统工艺有别于的是全耸立栅极二极管（GAA）系统设计。据Digitimes，Samsung基于GAA二极管的3nm传统工艺良率远低于考虑到，这或许意味着公司只能更多的时间才能投入出厂。所谓GAA二极管即耸立栅极二极管，它取代的是FinFET(颊德式场效应二极管)，前者可以实现四边充当电容器通道，二者则只有三边。

Samsung本来想着通过主动出击系统设计制极低点“降维”打击惠普公司，忘了后者坚持在3nm使用FinFET后，结果更务实。今年早些时候曾有美联社援引，太阳能电池电源跨国企业Lam Research(泛林)向Samsung提供了用以3nm GAA晶片很薄方面的电脑，Samsung希望在上半年进行全套传统工艺的质量验证。

值得注意的是，在今年2当月曾有美联社援引，Samsung重要顾客Motorola明年将推出的3nm传统工艺应用处理器，将交由惠普公司OEM，同时由于4nm传统工艺的良品率低，Motorola也已将部分骁龙8 Gen 1交由惠普公司OEM，不再由Samsung海外版OEM。惠普公司和Samsung再一就会有取而代之发现号，因为微处理器曾暗示，其尽可能是在 2024 年底之前接管行业的制程领导话语权。它还率先获得了更先进的极紫外 (EUV) 光刻机。

第二代 EUV 电脑被援引为High NA 或极低数值孔径。当前的 EUV 电脑的 NA 为 0.33，但新电脑的 NA 为 0.55。NA 就越，很薄在芯片上的电阻图案的解像度就就越。这将试图晶片设计者人员和OEM厂制造出取而代之晶片组，其中还包括的二极管数量甚至最少了当前集成电阻上使用的数十亿个二极管。

它还将阻止OEM厂再次通过 EUV 电脑运行芯片以向晶片添加额外的特性。ASML 暗示，第二代 EUV 电脑棉生的更极低解像度图案将提供更极低的解像度将使晶片构造小 1.7 倍，晶片密度增加 2.9 倍。

通过首先获得这台电脑，微处理器将能够朝着从惠普公司和Samsung手中击垮制程领导话语权的尽可能迈出一大步。